晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法

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《晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法》(Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics of crystalline silicon photovoltaic devices)是由工业和信息化部于1996年7月9日发布的行业标准,1997年1月1日起实施。
中文名
晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法
发布日期
1996-7-9
标准号 
GB/T 6495.4-1996
实施日期  
1997-1-1

晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法基本信息

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标准号 StandardNo: GB/T 6495.4-1996
首次发布日期 FirstIssuance Date: 1986-6-18
标准状态 StandardState: 现行
复审确认日期 ReviewAffirmance Date: 2004-10-14
计划编号 Plan No:
代替国标号 ReplacedStandard: GB 6493-1986,GB 6495-1986
被代替国标号 ReplacedStandard:
废止时间 RevocatoryDate:
采用国际标准号 AdoptedInternational Standard No: IEC 891:1987
采标名称 AdoptedInternational Standard Name:
采用程度 ApplicationDegree: IDT
采用国际标准 AdoptedInternational Standard: IEC
国际标准分类号(ICS): 29.220.99
中国标准分类号(CCS): K83
标准类别 StandardSort: 产品
标准页码 Number ofPages: 9
标准价格(元) Price(¥): 10
主管部门 Governor: 工业和信息化部(电子)
归口单位 TechnicalCommittees: 全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会
起草单位 DraftingCommittee: 西安交通大学[1] 

晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法标准简介

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本标准规定了作温度和辐照度修正应遵循的方法,仅适用于修正晶体硅光伏器件的实测I—V特性。本标准规定了晶体硅光伏器件的I—V实测特性的温度和辐照度修正方法,包括测定温度系数、内部串联电阻和曲线修正系数。这些方法在测试所用辐照度的±30%范围内都能适用。
[2] 
参考资料
词条标签:
工具书籍 出版物 书籍